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真空成膜装置・高真空装置

真空成膜装置・高真空装置とは

真空成膜装置・高真空装置について

真空成膜装置とは、半導体の製造工程のうち薄膜成形のプロセスに用いられる装置で、手法によってPVD、CVD、PLD、MBEなど各種の成膜装置が存在しており、真空度の高さが半導体の品質を決める大きな要因となっています。西華デジタルイメージでは、長年薄膜素材の評価装置として定評のあるVINCI社の製品を取り扱ってまいりましたが、同社の真空成膜装置をラインナップに追加しました。VINCI社は高真空装置で定評のあったMECA2000社を傘下に収め、各種成膜装置(PVD、CVD、PLD、MBE)を提供、欧州を中心に多くの納品実績があります。レーザーやLEDの素子に使われる半導体素子を制作する際のプロセスに最適です。

特徴

  • 長年の実績を誇るMECA2000社の技術をそのまま活かしており欧州中心とした数多くの実績
  • 各種検査装置(XPS、AES、RHEEDなど)への組み込みに対応
  • 高真空搬送路との結合に対応
  • 要求仕様に応じたカスタマイズに対応、詳細はお問い合わせください。

アプリケーション

アプリケーション
  • 各種半導体
  • ディスプレイ(有機ELデバイス等)
  • センサー
  • 薄膜太陽電池
  • 航空宇宙用デバイス
  • 光学デバイス
  • 各種コーティング(硬化処理、加飾処理)

真空成膜装置製品ラインナップ

PVD10/20 先端ハイブリッド成膜装置

PVD10 / 20 先端ハイブリッド成膜装置
  • 熱蒸着、電子線蒸着、マグネトロンスパッタ蒸着のハイブリッドシステム
  • 有機・無機成膜対応
  • パワフルな自動制御ソフトウエア搭載
  • D型のステンレス製チャンバー(引き戸、観察窓付き)
  • ソース選択スイッチ付属
  • 基板ホルダーは要求に合わせて別途特注
  • 4インチまでのサンプルに対応

仕様表

横スクロールでご覧いただけます。

構成タイプ  システム
PVD-10 E PVD-10 S PVD-10 H*
基板加熱(600℃まで)  ×  ×    ×
基板冷却(-150℃まで)   ×   ×  × 
基板回転   ×   ×   ×
カソード (最大4)  -  ×   Max depends
Nbr. Of Thermal / Organic
スパッタダウン  -   ×  -
スパッタアップ  -   ×  × 
オーガニック / 熱 (最大10)  ×   - Max depends
Nbr. Of cathodes 
グローブボックスの互換性   ×  × 
サンプルバイアス  -  ×    × 
スロットルバルブ  ×     ×

UHV-E450 E-Beam&MBE成膜装置

UHV-E450 E-Beam&MBE成膜装置
  • クライオパネル内臓の10-10mbr高真空チャンバー
  • 広範な成膜温度:-120~1500℃
  • UHV&ドライポンプに依るコンタミの低減
  • LN2冷却機構を持つ基板マニュピレーターに依る低温成膜(アモルファス、または 格子構造)
  • Electron Bombardment Heaterによるエピタキシャル成長
  • RHEED観察機構、及びIn-situモニターポート
  • ロードロック機構
  • 真空搬送路結合対応

MECATRANSTM 高真空搬送路

MECATRANSTM  高真空搬送路
  • 70m長の実績
  • 10-10mbr高真空基板搬送トンネル
  • 304L/316Lステンレス材使用
  • ベークアウト温度:200℃
  • マグネティックカップリングに依るフリクションフリー&ゼロパーティクルの搬送を実現
  • 2”×12pcs基板トレイ
  • ゲートバルブ機構により各部の保守が容易
  • 真空搬送路結合対応 ロードロック機構・高搬送速度(50cm/s)
  • オプションで自動搬送にも対応可能

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